IC老化試驗

以加速溫度、電壓等應力，在短時間內，預估IC的壽命時間(生命週期預估)。 針對不同產品特性有相對應的測試方法，如HTGB(High Temperature Gate Bias) / HTRB(High Temperature Reverse Bias) / BLT(Bias Life Test)等試驗要求。

試驗過程中，均需加入電源(信號源)，以利IC進入工作狀態或穩態，經由電壓、溫度、時間等加速因子(Acceleration Factor)交互作用，達到材料老化效應。

測試條件

高溫壽命試驗

利用高溫及電壓加速應力，以評估IC長時間的使用壽命，試驗中運用動態訊號，以符合實際的產品使用狀態。

早夭失效率試驗

利用高溫及電壓加速應力藉以篩選出早夭產品，以利評估產品的早夭率。

參考規範

JJESD 22-A108