銅柱無鉛銲錫凸塊 對應高I/O數及相應產生的散熱、線路電磁相容與電磁干擾問題,採用精細銅柱凸塊間距可以縮小到40微米,從而提高覆晶封裝的封裝能力,獲取相較於傳統打線封裝更好的電氣效能。 應用 AP, PMU, ASIC, MEMS & Sensor, UC controller, DRAM 規格 & 能力 製程流程